■ DSi200/DSi300硅光電探測器
硅光電探測器（Si）
———室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
◆ DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測器
◆ DSi300型內(nèi)裝國產(chǎn)低暗電流硅光電探測器
◆ 推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用
兩種型號硅光電探測器的光譜響應(yīng)度曲線圖：(右) |
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型號列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
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技術(shù)指標(biāo)＼型號名稱 |
DSi200 紫敏硅探測器 |
DSi300 硅探測器 |
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進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 |
國產(chǎn)低暗電流型 |
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有效接收面積(mm2) |
100(Φ11.28) |
100(10×10) |
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波長范圍(nm) |
200-1100 |
300-1100 |
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峰值波長(nm) |
------- |
800±20 |
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峰值波長響應(yīng)度(A/W) |
0.52 |
>0.4 |
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254nm的響應(yīng)度(A/W) |
0.14(>0.09) |
------- |
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響應(yīng)時間(μs) |
5.9 |
------- |
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工作溫度范圍(℃) |
-10～+60 |
------- |
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儲存溫度范圍(℃) |
-20～+70 |
------- |
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分流電阻RSH(MΩ) |
10(>5) |
------- |
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等效噪聲功率NEP (W/√Hz) |
4.5×10-13 |
------- |
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暗電流(25℃；-1V) |
------- |
1X10-8—5×10-11 A |
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結(jié)電容(pf) |
4500 |
<3000(-10V) |
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信號輸出模式 |
電流 |
電流 |
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輸出信號極性 |
正（P） |
正（P） |
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硅光電探測器使用建議：
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號，標(biāo)明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。
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